Concentration dependencies of electrical resistance of ternary and binary alloys at maximum long-range order
Concentration dependencies of electrical resistance of ternary and binary alloys at maximum long-range order
Abstract
Electrical resistance of ternary and binary alloys was calculated in the coherent potential approximation. Concentration dependencies of electrical resistance at the maximum long-range order for a given composition were studied. The results are presented in graphical form. A comparison with the weak scattering limit has been made. For isoelectronic ternary alloys, it has been established that at low values of the valence electron number, the Fermi level is located quite far from the gap in the electron density of states that emerges with an increase in the concentration of the third component. In this case, the graphs of the dependence of the residual electrical resistance on the concentration of the third component, obtained in the coherent potential approximation (CPA) and in the weak scattering approximation (WSA), are qualitatively similar. With an increase in the number of valence electrons, the concentration dependencies of the resistance for CPA and WSA acquire qualitative differences.
1. Введение
Упорядочивающиеся сплавы играют исключительно важную роль в современной науке и технике. Возможность варьирования физических свойств за счет изменения состава и внутренней структуры делает их незаменимыми в качестве конструкционных материалов, широко используемых в различных отраслях промышленности.
Многие приложения упорядочивающихся сплавов обусловлены их уникальными резистивными характеристиками. Однако, следует отметить, что если температурные зависимости электросопротивления
Целью данной работы является теоретический расчет концентрационных зависимостей электросопротивления тройных и бинарных упорядочивающихся сплавов в ПКП при максимально возможном для данной концентрации дальнем порядке.
2. Остаточное электросопротивление тройных и бинарных упорядочивающихся сплавов
Пусть
где
Интересующие нас физические характеристики сплава могут быть выражены через когерентные потенциалы подрешеток
Здесь
- t — матрица рассеяния узла
и система уравнений (2) может быть записана в эквивалентном виде
Плотность электронных состояний упорядочивающегося сплава выражается через решения системы (8) следующим образом
а статическая проводимость
Здесь
где
Рассмотрим концентрационные зависимости характеристик тройного сплава вдоль квазибинарных разрезов
Экстремальные значения параметров дальнего порядка
Фиксируя концентрацию одной из компонент и изменяя с некоторым шагом концентрацию другой, вычислим по формулам (12), (13), (14) экстремальные значения параметров дальнего порядка и подставим их в систему уравнений (8).
Далее система уравнений (8) решалась численно на ЭВМ итерационным методом, а затем по формуле (9) вычислялась плотность электронных состояний сплава
Рассмотрим бинарный упорядочивающийся сплав ОЦК-решеткой. Основные формулы для такого сплава могут быть легко получены из соответствующих выражений для тройного сплава с ОЦК-решеткой, если мы учтем, что структуры этих систем идентичны, и отличие имеется только в числе компонент. Поэтому если положим
3. Основные результаты и их обсуждение
Насколько нам известно, концентрационные зависимости подобного рода для электросопротивления тройных сплавов экспериментально изучались, как правило, при комнатных температурах. Поэтому результаты выполненных в ПКП расчетов сравним с данными, полученными для сопротивления в пределе слабого рассеяния (ПСР). В этом приближении для немагнитного сплава в случае, когда уровень Ферми расположен вдали от щели, для
где
На рисунках 1 и 2 представлены концентрационные зависимости характеристик тройного сплава вдоль различных квазибинарных разрезов при максимальном порядке. Остаточное сопротивление изображено в единицах

Рисунок 1 - Тройной сплав: концентрационные зависимости плотности электронных состояний на уровне Ферми (штриховая линия) и остаточного электросопротивления (сплошная линия) вдоль квазибинарного разреза при максимальном порядке (тип AI, cA =0,3 = const)
Примечание: здесь εA = -0,5; εB = 0; εC = 0,5
При

Рисунок 2 - Тройной сплав: концентрационные зависимости плотности электронных состояний на уровне Ферми (штриховая линия) и остаточного электросопротивления (сплошная линия) вдоль квазибинарного разреза при максимальном порядке
Примечание: здесь εA = -0,5; εB= 0; εC = 0,5
Можно заключить, что если для сплавов фиксированного состава (зависимости от температуры отжига) изменение плотности электронных состояний на уровне Ферми (числа носителей заряда) полностью предопределяет поведение остаточного сопротивления, то для сплавов переменного состава (концентрационные зависимости) взаимосвязь между
Выполненные в ПКП расчеты показывают, что именно немонотонное изменение числа носителей заряда обуславливает аномальный характер как концентрационных, так и температурных зависимостей сопротивления. Заметим, что полный, самосогласованный учет этого фактора возможен именно в ПКП.
Для бинарных упорядочивающихся сплавов соответствующий аналог формулы (16) запишется так
Здесь
На Рис. 3

Рисунок 3 - Бинарный сплав: зависимости остаточного электросопротивления и плотности электронных состояний на уровне Ферми от концентрации при максимальном порядке
4. Заключение
К сожалению, систематические экспериментальные исследования концентрационных зависимостей остаточного электросопротивления тройных сплавов при максимальном дальнем порядке никем не проводились. Поэтому провести детальное сравнение полученных теоретических результатов с экспериментом невозможно. Однако, по нашему мнению, развитая в данной работе теория может служить исходным пунктом и надежным ориентиром при проведении такого экспериментального исследования, необходимость выполнения которого в свете последних технологических применений тройных упорядочивающихся сплавов становится все более очевидной.
