Вернуться к статье![Наблюдение целочисленного и дробного квантового эффекта Холла в гетероструктуре GaAsAlGaAs с высокой подвижностью носителей](/media/images/2023-03-09/3692672e-3bd8-4479-9b11-564406623ccd.jpg)
Энергетические уровни электронов в магнитном поле и целочисленный квантовый эффект Холла
Рисунок 1 - Наблюдение целочисленного и дробного квантового эффекта Холла в гетероструктуре GaAsAlGaAs с высокой подвижностью носителей
![Наблюдение целочисленного и дробного квантового эффекта Холла в гетероструктуре GaAsAlGaAs с высокой подвижностью носителей](/media/images/2023-03-09/3692672e-3bd8-4479-9b11-564406623ccd.jpg)
значения индукции B1, B2, B3, B4 соответствуют целочисленным факторам заполнения i, равным 1, 2, 3, 4