Рисунок 1 - Схематично показана связь между плавным изменением потенциала φg электростатического поля затвора-подложки в зоне проводимости (в 2МЭГ), умноженным на абсолютную величину заряда электрона |e|, и допустимыми значениями энергии электрона в магнитном поле nμBB при B=const:

а - значение потенциала φg электростатического поля затвора-подложки в зоне проводимости, умноженного на абсолютную величину заряда электрона |e|; б - дискретный энергетический спектр системы 2МЭГ в магнитном поле в соответствии с формулами (22) и (23)