Электросопротивление бинарных антиферромагнитных сплавов 

Научная статья
DOI:
https://doi.org/10.60797/IRJ.2025.160s.28
Выпуск: № 10 (160) S, 2025
Предложена:
14.08.2025
Принята:
20.08.2025
Опубликована:
24.10.2025
167
0
XML
PDF

Аннотация

Электрическое сопротивление антиферромагнитных сплавов рассчитано в приближении когерентного потенциала. Показано, что если энергия Ферми локализована вблизи щели в плотности электронных состояний, то электрическое сопротивление может возрастать с ростом намагниченности подрешеток. Экспериментальные исследования, проведенные ранее для сплавов Cr-Pt, показывают, что при возрастании концентрации примеси аномалия сопротивления увеличивается. Для сплавов Ni-Mn эквиатомного состава ранее было экспериментально обнаружено значительное увеличение электросопротивления (свыше 80%) при переходе в АФМ состояние. Таким образом, предложенная нами теория позволяет качественно объяснить наблюдавшиеся температурные и концентрационные аномалии электросопротивления АФМ сплавов.

1. Введение

Как известно, при атомном упорядочении бинарных и тройных немагнитных сплавов происходит перестройка электронного спектра. Для некоторых (но не для всех!) сплавов электросопротивление 

 вблизи температуры перехода порядок-беспорядок обнаруживает аномалию: возрастание при увеличении параметра дальнего порядка с последующим падением при дальнейшем увеличении последнего
,
,
. Причем эта особенность в поведении электросопротивления связывается именно с развитием дальнего порядка, т.к. в неупорядоченном состоянии подобная аномалия не обнаруживается. Объяснение данной аномалии было дано в работах
,
,
, в которых электросопротивление упорядочивающихся сплавов вычислялось с учетом изменений электронного спектра при упорядочении. В результате была выявлена возможность немонотонного изменения остаточного электросопротивления со степенью дальнего порядка в случае, когда поверхность Ферми проходит вблизи поверхности разрыва в спектре. Поскольку при переходе сплава в антиферромагнитное (АФМ) состояние также происходит перестройка электронного спектра, обусловленная появлением магнитных (а не структурных) подрешеток, в таких системах также возможны аналогичные аномалии остаточного электросопротивления. Подобные аномалии наблюдались для ряда  АФМ сплавов экспериментально
,
,
.

В данной работе выполнен теоретический расчет высокотемпературного (

 — температура Нееля) электросопротивления бинарных АФМ сплавов А-В с ПК или ОЦК решеткой, обусловленного неоднородностями спиновой системы и статическим потенциалом нерегулярного распределения атомов разных сортов по решетке. Спиновая система описывается в рамках 
 обменной модели. В
было показано, что такой сплав может быть антиферромагнитным либо в неупорядоченном, либо в полностью упорядоченном (при стехиометрическом составе) состояниях. Поэтому рассмотрим структурноразупорядоченный сплав произвольного состава. Полагаем, что при АФМ упорядочении в нем реализуется коллинеарная двухподрешеточная магнитная структура, появление которой изменяет периодичность внутреннего поля системы и приводит к необходимости использования двухподрешеточного варианта приближения когерентного потенциала (ПКП) даже для структурно разупорядоченного сплава
.

2. Остаточное электросопротивление бинарных антиферромагнитных сплавов

Предполагая, как это обычно делается в ПКП, что энергии электронного переноса между различными узлами не зависят от состава сплава, и используя 

 обменную модель для описания взаимодействия электронов проводимости с системой локализованных спинов, запишем гамильтониан сплава в предcтавлении Ваннье 

(1)

В этой формуле 

  операторы рождения и уничтожения электрона со спином 
 на узле 
 — радиус-векторы узлов 
 - й подрешетки; 
\varepsilon_{\vec{n}}$ и $I_{\vec{n}}
  энергия атомного уровня и интеграл 
 обмена для узла 
 , принимающие соответственно значения 
\varepsilon_\alpha$ и $I_\alpha
  в зависимости от сорта атома, занимающего этот узел, 
  операторы локализованного на узле 
 спина; t интеграл переноса между ближайшими соседями; штрих у суммы во втором слагаемом в (1) означает, что суммирование ведется по узлам 
 и 
являющимся ближайшими соседями. При выводе Н считалось, что локализованные спины всех компонент имеют величину S = 1/2 и связаны эффективным прямым обменом.

Имея в виду использование одноузельного варианта ПКП

,
, представим H в виде 

H=H_0+\sum_{\vec{n}} V_{\vec{n}}$,
(2)

где 

(3)
(4)

В соответствии со сверхструктурой АФМ сплава введем оператор когерентного потенциала 

(5)

через который выразим эффективный гамильтониан сплава

(6)

и соответствующую ему одноэлектронную функцию Грина 

\widetilde{G}(z)=(z-\widetilde{H}(z))^{-1}, F_l(z)=<\vec{n}_l|\widetilde{G}(z)| \vec{n}_l>
(7)

Условие самосогласования одноузельного ПКП, из которого находится оператор когерентного потенциала, состоит в равенстве нулю усредненной t -матрицы рассеяния 

-го узла
,
. В силу неэквивалентности подрешеток АФМ сплава таких уравнений будет два
 

\ll\left(V_{\vec{n}_l}-\sum_{\vec{n}_l}\right)\left[1-\tilde{G}(z)\left(V_{\vec{n}_l}-\sum_{\vec{n}_l}\right)\right]^{-1}>_T>=0
(8)

Здесь символ  означает тепловое усреднение в системе локализованных спинов при фиксированной конфигурации атомов в сплаве, которое далее проводится в приближении молекулярного поля, а символ <...> означает усреднение по всем возможным  конфигурациям при заданном значении  концентрации компоненты А. Для случайной одноузельной величины 

&lt;f_{\vec{n}_l}&gt;=\sum_{\alpha=A, B} c_\alpha f_\alpha=\bar{f}
(9)

При вычислении тепловых средних в системе локализованных спинов для АФМ сплава запишем

&lt;S_{\tilde{n}_l}^Z&gt;_T=(-1)^l S \mu
(10)

где 

  относительная намагниченность подрешетки. Решая систему (8) методом итераций, получим в приближении виртуального кристалла (первая итерация) 

(11)

Тогда плотность электронных состояний 

 в пределе виртуального кристалла будет 

(12)

Таким образом и в антиферромагнитных сплавах и в чистых антифер-ромагнетиках при 

T&lt;T_N
 в 
 появляется щель ширины 
, центрированная на 
Это является следствием изменения периода внутреннего поля кристалла при антиферромагнитном упорядочении.

В пределе слабого рассеяния (вторая итерация) недиагональные по спину матричные элементы когерентного потенциала равны нулю, а диагональные могут быть записаны в виде

(13)
(14)
(15)
F_l(z)=2\left(z-\bar{\varepsilon}-(-1)^l \bar{I} S \mu\right)\left\{1-\sqrt{1-\frac{1}{(z-\bar{\varepsilon})^2-(\bar{I} S \mu)^2}}\right\}, l=1,2$,
(16)
\delta_{\varepsilon}=\varepsilon_A-\varepsilon_B, \quad \delta_I=I_A-I_B, S^2 \Delta^2=&lt;\left(S_{\vec{n}}^Z\right)^2&gt;_T
(17)

Тензор статической электропроводности сплава определяется по формуле Кубо-Гринвуда

 

\lambda^{\alpha \beta}=\frac{\pi e^2 h}{N \Omega} \int d E\left(-\frac{\partial f}{\partial E}\right) S p \ll v^\alpha \delta(E-H) v^\beta \delta(E-H)&gt;_T&gt;
(18)

где 

 — заряд электрона; 
  объем, приходящийся на один атом, 
  функция Ферми; 
  компонента оператора скорости; N число узлов решетки сплава,
 — постоянная Планка. 

Формулу (18) можно записать в виде 

(19)

где

(20)

Поскольку величины, входящие в (20), являются трансляционно-инвариантными, вычисляем шпур в блоховском базисе. Используя для получающейся при этом суммы по 

 аппроксимацию, соответствующую полуэллиптической модели плотности состояний, получим выражение для статической проводимости  в пределе слабого рассеяния
.

В этом случае проводимость будет отлична от нуля тогда, когда энергия Ферми сплава попадает в интервал 

|\bar{I} S \mu|&lt;\left|\varepsilon_F-\bar{\varepsilon}\right| \leq \sqrt{1+(\bar{I} S \mu)^2}
(21)

и результаты будут существенно зависеть от локализации энергии Ферми относительно щели.

3. Основные результаты и их обсуждение

Если энергия Ферми расположена вдали от щели, электросопротивление антиферромагнитного сплава есть

\rho=\lambda^{-1}=\frac{\rho_0}{1-\left(\varepsilon_F-\bar{\varepsilon}\right)^2}\left[c_A c_B \delta_{\varepsilon}^2+\overline{I^2} S(S+1)-(\bar{I} S \mu)^2\right], \rho_0=\frac{3 \pi \Omega}{e^2 h v_m^2}$,
(22)

 

  максимальная скорость.

Видно, что сопротивление является линейно-квадратичной функцией состава, и переход в антиферромагнитное состояние, сопровождающийся увеличением спонтанной намагниченности подрешеток, приводит к уменьшению 

\rho$.

Если энергия Ферми находится вблизи от щели, сопротивление описывается более сложным выражением

(23)

где 

\rho_1=\rho_0 \overline{I^2} S(S+1)$,
(24)
(25)
\rho_3=\rho_0\left(2 \overline{I^2} S^2 \Delta^2+4 c_A c_B S \frac{\delta_{\varepsilon} \delta_I}{\tau}\right) \frac{\tau^2 \mu^2}{1-\tau^2 \mu^2},|\tau|&lt;1$.
(26)

Отметим, что выражения (22)-(26) получены в приближении, сохраняющем наибольший член разложения по параметрам рассеяния.

В парамагнитной области (

T&gt;T_N, \mu=0
находим из (23)-(26)

(27)

В этом случае сопротивление является суммой вкладов от упругого спинового рассеяния и упругого примесного рассеяния.

Изменение 

 в зависимости от намагниченности подрешетки показано на Рис. 1 для ряда значений параметров 
 и 
. Как видно из этих кривых, при некоторых значениях параметров возможен рост 
 при увеличении 
, т.е. при понижении температуры. Кривые 2, 3, 4, 6 дают примеры немонотонной зависимости 
 от намагниченности подрешетки. Подобное поведение 
 в совокупности с фононным вкладом в сопротивление может быть причиной аномалии температурной зависимости электросопротивления  АФМ сплава.

В отличие от 

слагаемое 
монотонно зависит от температуры. Если выражение в скобках в (26) положительно, 
возрастает при увеличении 
(т.е. при уменьшении температуры). Такое поведение 
будет усиливать аномалию температурной зависимости полного сопротивления.

Зависимость p2 от намагниченности подрешетки для различных значений параметров |τ| и a: (1) |τ|=0,4, a=1; (2) |τ|=0,9, a=1; (3) |τ|=0,8, a=1,2;(4) |τ|=0,9, a=1,2; (5) |τ|=0,4, a=2; (6) |τ|=0,6, a=2

Рисунок 1 - Зависимость p2 от намагниченности подрешетки для различных значений параметров |τ| и a:

(1) |τ|=0,4, a=1; (2) |τ|=0,9, a=1; (3) |τ|=0,8, a=1,2;

(4) |τ|=0,9, a=1,2; (5) |τ|=0,4, a=2; (6) |τ|=0,6, a=2

Концентрационная зависимость слагаемого

приведена на Рис. 2 для случая 
Когда параметр 
b&lt;0,\left(b=\frac{4 \delta_{\varepsilon} \delta_I}{I_A^2 \tau}\right)
 и достаточно велик по абсолютной величине, член
может изменить свой знак в области больших концентраций. Ясно, что в этом случае аномалия в сопротивлении сплава будет уменьшаться вплоть до полного исчезновения, когда состав сплава будет стремиться к эквиатомному. Если же b>0, то в концентрированных сплавах аномалия сопротивления за счет слагаемого
будет возрастать.

Концентрационная зависимость ρ3 для ряда значений параметра b: (1) b= 4; (2) b= - 4; (3) b= - 8

Рисунок 2 - Концентрационная зависимость ρ3 для ряда значений параметра b:

(1) b= 4; (2) b= - 4; (3) b= - 8

4. Заключение

Экспериментальные исследования

, проведенные для сплавов Cr-Pt, показывают, что при возрастании концентрации примеси аномалия сопротивления увеличивается. В
для сплавов Ni-Mn эквиатомного состава было обнаружено значительное увеличение электросопротивления (свыше 80%) при переходе в АФМ состояние. В свете изложенной теории представляется возможным связать эти факты с вкладом слагаемого
в общее электросопротивление (в случае b > 0).

Таким образом, изучение примесного и спинового рассеяния позволяет качественно объяснить наблюдавшиеся температурные и концентрационные аномалии электросопротивления АФМ сплавов.

Метрика статьи

Просмотров:167
Скачиваний:0
Просмотры
Всего:
Просмотров:167