Вернуться к статье
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ
Таблица 1 - Значения параметров полученных профилей от мощности RF-смещения
№ | PRF, Вт | α, град | Vтр, нм/мин | S |
1 | 30 | 62,5 | 65,53 | 1,814 |
2 | 45 | 75,4 | 78,25 | 1,267 |
3 | 60 | 79, 2 | 84,8 | 1,122 |