Вернуться к статье
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ
Рисунок 1 - Результирующие профили травления в слое GaAs при различной мощности RF-смещения:
а) PRF = 30 Вт; b) PRF = 45 Вт; c) PRF = 60 Вт