Вернуться к статье
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ
Рисунок 1 - Двумерная тепловая карта распределения разброса концентрации ионов от центра к краю пластины от давления и мощности ICP источника