ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ

Рисунок 1 - Зависимость максимальной плотности ионов в плазме от давления газовой смеси при различной мощности ICP источника