Return to article
Исследование металлических наноструктур методом мандельштам-бриллюэновской спектроскопии
Рисунок 1 - Значения коэффициента интерфейсного ВДМ (D) для образцов S1-S3 (а) и температурная зависимость константы D для образца S3 (б)

Рисунок 1 - Значения коэффициента интерфейсного ВДМ (D) для образцов S1-S3 (а) и температурная зависимость константы D для образца S3 (б)
