Return to article
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ В GaAs СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ В РЕАКТОРЕ С ICP-ИСТОЧНИКОМ

Профиль травления отверстий в подложке GaAs при оптимальных параметрах процесса травления

Профиль травления отверстий в подложке GaAs при оптимальных параметрах процесса травления