Вернуться к статье
ОДНОСТОРОННЯЯ ПРОВОДИМОСТЬ МЕМРИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОТРУБОК ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ
Рисунок 1 - Вольт-амперные характеристики резистивного переключения мемристора Zr/ZrO2/Au при U ≥ 0
А) U0 = 2 В, Um = 6 В; Б) U0 = 0 В, Um = 8 В;
стрелками показано направление записи ВАХ; на вставке приведена эквивалентная схема исследуемой МДМ-структуры