Вернуться к статье![РЭМ-изображение торцевого скола мемристивных структур без воздействия электрическим полем (а), после переключения в низкоомное состояние (б).](/media/images/2023-11-21/42008c08-f830-490a-b674-533f7e18037d.png)
Формирование и исследование мемристорных элементов на основе оксидов меди и титана с использованием магнетронной технологии
Рисунок 1 - РЭМ-изображение торцевого скола мемристивных структур без воздействия электрическим полем (а), после переключения в низкоомное состояние (б).
![РЭМ-изображение торцевого скола мемристивных структур без воздействия электрическим полем (а), после переключения в низкоомное состояние (б).](/media/images/2023-11-21/42008c08-f830-490a-b674-533f7e18037d.png)