Вернуться к статье
Формирование и исследование мемристорных элементов на основе оксидов меди и титана с использованием магнетронной технологии
Рисунок 1 - РЭМ-изображение торцевого скола мемристивных структур без воздействия электрическим полем (а), после переключения в низкоомное состояние (б).